Samsung Electronics, piyasada mevcut en yüksek veri aktarım hızına sahip beşinci nesil V-NAND bellek çiplerinin seri üretimine geçtiğini duyurdu.
Sektörde ‘Toggle DDR 4.0’ arayüzünün ilk kez kullanıldığı Samsung’un yeni 256 Gigabit V-NAND çipi, depolama cihazı ile bellek modülleri arasındaki veri aktarımının hızını 64-katmanlı öncüllerine göre %40 artırarak 1.4 Gbps değerine ulaştırıyor.
Samsung’un yeni V-NAND modelinin enerji verimliliği de özellikle çalışma geriliminin 1,8 volttan 1,2 volta düşmesi sayesinde 64-katmanlı çiplerle karşılaştırılabilir düzeyde kalıyor. Yeni V-NAND aynı zamanda 500-mikrosaniye (μs) ile bugüne kadarki en yüksek yazma hızına da sahip. Bu da yazma hızında önceki nesle kıyasla %30’luk bir artış olduğu anlamına geliyor. Aynı şekilde; okuma sinyallerine yanıt süresi de önemli ölçüde azalarak 50 mikrosaniyeye (μs) kadar düşmüş durumda.
Samsung’un beşinci nesil V-NAND çipinin içinde paketlenmiş olan 3D Şarj Hücrelerine ait (CTF) 90’dan fazla katman (sektördeki en yüksek rakam) dikey mikroskopik kanallar ile piramit şeklinde yerleştirildi. Yalnızca birkaç yüz nanometre genişliğindeki bu kanal deliklerinde; her biri üç bit veri saklayabilen 85 milyar CTF hücresi bulunuyor. Bu yüksek teknolojili bellek üretimi gelişmiş devre tasarımları ve yeni işlem teknolojileri gibi çığır açan bir dizi gelişmenin sonucunda mümkün hale geldi.
V-NAND’in atomik katmanlı kaplama sürecindeki gelişmeler sayesinde; üretim verimliliğinde %30’un üzerinde artış sağlandı. Yeni tekniklerle her bir hücre katmanının yüksekliği %20 oranında azalırken hücreler arasındaki parazitler ortadan kalktı ve çipin veri işleme verimliliği arttı.
Samsung süper-bilgisayarlar, sunucular ve üst sınıf akıllı telefonlar gibi; en son mobil uygulamaları içeren kritik sektörlere yönelik yüksek-yoğunluklu belleklere öncülük ederken; geniş yelpazedeki piyasa ihtiyaçlarını karşılamak için beşinci nesil VNAND üretimini de hızla artıracak.
